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實戰(zhàn)經(jīng)驗 | STM32G071 從 standby 模式退出后的 SRAM 數(shù)據(jù)保留
- 01 問題的描述某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒,想要 SRAM 的數(shù)據(jù)在退出 standby模式后得以保持。根據(jù)手冊的描述,配置了相應(yīng)的比特位,但是發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)仍然保持不了。02 問題的復現(xiàn)根據(jù)客戶的描述,以及 STM32G071 的最新版參考手冊 RM0444 發(fā)現(xiàn),在 standby 模式下,可以通過設(shè)置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力,相應(yīng)的 API 接口函數(shù)為HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
- 關(guān)鍵字: STM32G071 standby SRAM
SRAM正在測試3D打印原型曲柄
- SRAM正在通過與芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk軟件,開始制造真正可用的3D打印原型曲柄?;谶@種人工智能設(shè)計流程,我們可能會看到完全重新構(gòu)想的SRAM曲柄投放市場。不容置疑的是,SRAM在這種新的設(shè)計方法中投入了大量精力,并且他們已經(jīng)在真實的道路上,用這款電腦設(shè)計的山地車曲柄進行了的多次迭代測試……使用Autodesk,SRAM能夠從空白開始,讓人工智能根據(jù)曲柄組中的作用力和各種自動化制造過程,為原型曲柄組篩選出最佳的設(shè)計形式。到目前為止,似乎SRAM已經(jīng)
- 關(guān)鍵字: SRAM 3D打印
格芯贏得AI芯片業(yè)務(wù)
- 像Nvidia這樣的芯片巨頭可以負擔得起7nm技術(shù),但初創(chuàng)公司和其他規(guī)模較小的公司卻因為復雜的設(shè)計規(guī)則和高昂的流片成本而掙扎不已——所有這些都是為了在晶體管速度和成本方面取得適度的改善。格芯的新型12LP+技術(shù)提供了一條替代途徑,通過減小電壓而不是晶體管尺寸來降低功耗。格芯還開發(fā)了專門針對AI加速而優(yōu)化的新型SRAM和乘法累加(MAC)電路。其結(jié)果是,典型AI運算的功耗最多可減少75%。Groq和Tenstorrent等客戶已經(jīng)利用初代12LP技術(shù)獲得了業(yè)界領(lǐng)先的結(jié)果,首批采用12LP+工藝制造的產(chǎn)品將于
- 關(guān)鍵字: AI CNN SRAM CPU 芯片
使用帶有片上高速網(wǎng)絡(luò)的FPGA的八大好處
- 引言自從幾十年前首次推出FPGA以來,每種新架構(gòu)都繼續(xù)在采用按位(bit-wise)的布線結(jié)構(gòu)。雖然這種方法一直是成功的,但是隨著高速通信標準的興起,總是要求不斷增加片上總線位寬,以支持這些新的數(shù)據(jù)速率。這種限制的一個后果是,設(shè)計人員經(jīng)?;ㄙM大量的開發(fā)時間來嘗試實現(xiàn)時序收斂,犧牲性能來為他們的設(shè)計布局布線。傳統(tǒng)的FPGA布線基于整個FPGA中水平和垂直方向上運行的多個獨立分段互連線(segment),在水平和垂直布線的交叉點處帶有開關(guān)盒(switch box)以實現(xiàn)通路的連接。通過這些獨立段和開
- 關(guān)鍵字: ATT FCU SRAM FMAX
瑞薩電子宣布擴大IP授權(quán)范圍
- 全球領(lǐng)先的半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)今日宣布擴大其備受歡迎的IP的授權(quán)范圍,幫助設(shè)計師能夠在瞬息萬變的行業(yè)中滿足廣泛的客戶需求。自即日起,客戶將可訪問諸如尖端的7nm(納米)SRAM和TCAM,以及領(lǐng)先的標準以太網(wǎng)時間敏感網(wǎng)絡(luò)(TSN)等IP。此外,瑞薩電子正致力于打造包括PIM(內(nèi)存處理)的系統(tǒng)IP,該技術(shù)首次在2019年6月的會議論文中提出,作為AI(人工智能)加速器引起廣泛關(guān)注。利用這些IP,客戶可迅速啟動其先進的半導體器件開發(fā)項目,例如為領(lǐng)先的5G網(wǎng)絡(luò)開發(fā)下一代AI芯
- 關(guān)鍵字: IP SRAM
基于 QDR-IV SRAM 實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計計數(shù)器 IP設(shè)計
- 網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計計數(shù)器。計數(shù)器用來記錄數(shù)據(jù)包到達和離開的次數(shù)以及特定事件的次數(shù),比如當網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: SRAM 網(wǎng)絡(luò)
新式儲存結(jié)構(gòu)能加速MRAM市場起飛嗎?
- MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲器專有技術(shù),據(jù)稱可在增加數(shù)據(jù)保持的同時降低功耗,使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術(shù),據(jù)稱能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流
- 關(guān)鍵字: MRAM SRAM
RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼?
- RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容,故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同,隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。 SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存
- 關(guān)鍵字: SRAM DRAM
嵌入式存儲器的前世今生,作為電子工程師的你知道嗎?
- 隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模的芯片上,形成所謂的SoC(片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲器,在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧?! 〗谂_積電技術(shù)長孫元成在其自家技術(shù)論壇中,首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進行風險性試產(chǎn)。預計試產(chǎn)主要采用2
- 關(guān)鍵字: 存儲器 SRAM
針對微控制器應(yīng)用的FPGA實現(xiàn)
- 當你打開任何智能電子設(shè)備(從老式的電視遙控器到全球定位系統(tǒng)),會發(fā)現(xiàn)幾乎所有的設(shè)備都至少采用了一個微控制器(MCU),很多設(shè)備里還會有多個微控制器。MCU往往被用于專用的終端產(chǎn)品或設(shè)備中,它能夠很好地完成特殊任務(wù)。另一方面,PC的大腦,即微處理器被設(shè)計用于實現(xiàn)許多通用的功能。微控制器可用于降低成本,加固工業(yè)和自動化應(yīng)用,將其嵌入FPGA中時,還可以通過重新編程迅速改變功能。這種靈活性使得單個設(shè)備可應(yīng)用于接口標準不同的多個市場。
- 關(guān)鍵字: 微控制器 SRAM FPGA
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